水分对半导体制造的影响
水可能是所有生命的基础，但当涉及到半导体制造等过程时，它通常是过程中不想要的化 合物之一。水蒸气的存在不仅在技术方面，而且对商业成果都有非常重要的影响。即使是很少 量的水蒸气也会在晶片表面带入杂质或导致氧化，从而会对半导体器件的电特性产生不利影响。 这可能导致生产效率降低、生产成本增加和制造时间延长，直接影响盈利能力和市场竞争力。在 光刻、沉积和蚀刻等关键工艺过程中，对湿度和水蒸气的控制对于保持半导体层的结构完整 性和实现所需的产品质量至关重要。水蒸气的有效管理不仅对于维护半导体器件所需的高性能标 准和可靠性至关重要，而且对于确保高效的生产工艺、有力地减少浪费和保持强大的市场竞争地 位也至关重要。
化学气相沉积中的水分污染
化学气相沉积（CVD）是半导体行业中广泛使用的技术。它涉及气相前体的化学反应，这些前体 在基底表面分解或反应以产生固体材料，形成薄膜或涂层。水分污染直接影响沉积膜的纯度和完 整性。即使是很低的湿度水平也会在基底上引入不需要的羟基或催化氧化，导致膜中的瑕疵，对 器件性能产生不好影响。这种瑕疵可导致电不稳定性、介电强度降低或折射率变化，严重损害半 导体器件的功能。为了应对这些挑战，在CVD过程中实施全面的水分控制和减缓策略很重要。关 键策略包括使用严格的干气吹扫、真空系统以及结合干燥剂来消除水分。此外，使用冷镜式露点仪 可以帮助准确监测CVD环境中的水分。这种策略的组合对于确保沉积符合半导体器件生产所需的 严格标准的高质量薄膜至关重要。。
等离子体蚀刻中的水分污染 选择性蚀刻，
通常在光刻阶段之后，对于创建电路设计所必需的亚微米形状和图案至关重要。 该过程涉及使用蚀刻剂气体，特别是全氟化合物（FFCs），其在晶片基底上方的氩等离子体中被 激活。这些气体与半导体晶片上的特定材料进行选择性反应，精心雕刻出器件功能所需的复杂电 路图案。水分的存在会显著影响等离子体的形成，从而影响蚀刻质量。因此，在将FFC引入蚀刻机 或CVD室之前，连续监测FFC中的水分含量被认为是很好的方式。此外，等离子体气体，包括卤 化物和三氟化氮，也用于腔室清洁。然而，即使是微量水分也会影响等离子体质量和清洁过程的 效率。因此，密切监测水分水平对于保持蚀刻和清洁阶段的完整性至关重要，以确保高质量的生产 结果。
半导体制造用水分测量仪
PST提供了一系列传感器和分析仪，用于在半导体制造过程的一系列关键阶段测量水分。其中包括 露点变送器，如Easidew EA2，它能够检测-110至+20°Cdp之间的露点，为±2°Cdp，以及我 们的QMA401，它采用石英晶体微平衡，灵敏度为0.1 ppmV，非常适合用于CVD和蚀刻室。我们 的新产品S8000 RS是一款全自动冷镜露点仪，旨在提高在苛刻条件下微量水分测量的速度、和 灵活性。S8000 RS具有高，在温度低至-90°Cfp时保持±0.1°C的。它在应用中表现出了 优异的稳定性和再现性，在-90°Cfp时很小的变化为±0.05°Cdp，在-80°Cfp时进一步低至±0.025°C dp。通过使用复杂的镀金铜镜，该设备的显著提高。这与的冷却和动态污染修正一起， 确保形成一致的冷凝层，有助于准确可靠的测量。我们新款露点仪型号配备了各种通信选项， 包括通过USB、TCP/IP的Modbus RTU和4…20mA接口，以及直接到标准SD卡的内部数据记录功能 。与我们提供的每一款产品一样，S8000 RS拥有一套全面的技术和售后服务支持，确保我们的客户 能够获得必要的帮助以获得很好的性能。我们拥有50年的水分、湿度和露点技术开发历史，在微水 和烃露点测量应用具有丰富的经验。如果您想讨论您的要求，请立即联系我们的团队。
